(記者陳樂珊/綜合報導)南韓三星電子6月30日宣布,正式開始量產「3奈米晶片」,超越台積電,成為全球第一間達到此里程碑的半導體工廠。
圖/南韓三星電子6月30日宣布,正式開始量產「3奈米晶片」,超越台積電。(擷取自三星官網)
據報導,三星指出,跟先前的5奈米製程相比,其第一代3奈米製程用電減少45%,性能提升23%,晶片表面積縮小16%;預計接下來的第二代3奈米製程,最高將可省電50%,性能提高30%,晶片面積則將減少35%。
根據三星的新聞稿指出,其3奈米製程稱為「多橋通道場效電晶體」(Multi-Bridge-Channel FET , MBCFET),使用「環繞閘極技術」(Gate-All-Around, GAA),突破了「鰭式場效電晶體」(FinFET)的性能限制。它透過降低供應電壓位準,達到更高的功率效率,同時藉由增加驅動電流能力,提升性能。
據瞭解,台積電則預計今年下半年量產 3 奈米晶片,且採用較成熟的 FinFET 技術,2025 年量產 2 奈米製程時,才會採用 GAA 技術。業界人士認為,台積電 3 奈米沿用 FinFET 技術,主要是考量技術成熟度、成本競爭力與效能等因素,在 FinFET 生態系相對成熟下,將更具成本競爭力。
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