（財經中心／綜合報導）美國總統川普近日接受《福斯新聞》專訪時，再度指控台灣「偷走」美國半導體技術，引發各界關注。聯電創辦人曹興誠昨透過臉書反駁，強調川普說法絕非事實，並批評台灣政府與台積電至今未公開澄清、失職失能嚴重。他認為台灣不應悶不吭聲，行政院、工研院與台積電應召開國際記者會，完整說明台灣半導體技術的歷史來源與發展過程，以正國際視聽。
曹興誠還原歷史指出，台灣半導體技術最初是合法向美國購買而來。1976年3月5日，工研院代表台灣與美國RCA公司簽署為期10年的技術移轉合約，總金額達350萬美元，其中含250萬美元技術移轉費與100萬美元授權金；在當時國民平均年所得不到400美元的年代，這是一筆龐大的國家級投資。他說，政府當年另為「積體電路計畫」編列約1000萬美元預算，興建台灣第一座3吋晶圓示範工廠，並派遣他本人、史欽泰、曾繁城等20多位工程師赴美受訓，當時選擇成本較低、較省電的7微米CMOS技術。
曹興誠回憶，示範工廠運作成功後，技術於1980年移轉給新成立的聯華電子，聯電還免費提供經濟部15%技術股作為代價，1983年即創下每股近7元淨利、1985年掛牌上市。受聯電成功激勵，政府1983年再投入約1億美元，在工研院建立3微米的6吋晶圓示範廠，歷時4年完成，培養約400名工程師；1987年這批人全數轉進新成立的台積電，台積電並回頭租用該廠，使其成立之初就握有可商業化的3微米技術與產線。他並指出，台積電當年每年僅以200萬美元低廉費用租廠，經濟部還先提供700萬美元研發費用，形同無償使用工廠3年半，這正是台積電快速起飛的關鍵。
曹興誠也重提舊事，當年台積電董事長張忠謀同時兼任工研院董事長，曾被質疑有「化公為私」疑慮；他透露自己當年要求聯電也能參與示範廠租用比價，最後卻遭政府打壓，甚至差點被聯電董事會解職。他警告，川普一再以台灣偷走美國半導體技術作為論述，不僅是外交上的不友善，更可能成為逼迫台灣赴美設廠、削弱「矽盾」的藉口，因此強烈建議政府與台積電公開說明台灣半導體的發展歷程，向國際清楚交代台灣實力是歷經數十年投入累積而成，並非偷來。
